(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SCT2160KEC
Изображение служит лишь для справки
SCT2160KEC
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Date Sheet
Lagernummer 154
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：19 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：18V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：165W Tc
- Время отключения：67 ns
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Сопротивление：160mOhm
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：23 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：208m Ω @ 7A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1200pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：62nC @ 18V
- Время подъема：25ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V
- Угол настройки (макс.)：+22V, -6V
- Время падения (тип)：27 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：22A
- Пороговое напряжение：4V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：4V
- Напряжение пробоя стока к истоку：1.2kV
- Максимальный импульсный ток вывода：55A
- Номинальное Vgs：4 V
- Высота：5.03mm
- Длина：15.9mm
- Ширина：20.95mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 154
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
