FCH041N60F

Name: ON Semiconductor FCH041N60F
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET 600V N-Channel MOSFET, FRFET
Date Sheet

Lagernummer 71

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：15 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：76A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：595W Tc
Время отключения：244 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：SuperFET® II
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：595W
Время задержки включения：63 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：41m Ω @ 38A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14365pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：360nC @ 10V
Время подъема：66ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：53 ns
Непрерывный ток стока (ID)：76A
Код JEDEC-95：TO-247AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Максимальный импульсный ток вывода：228A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：2025 mJ
Высота：20.82mm
Длина：15.87mm
Ширина：4.82mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 71

Итого $0.00000