SI1035X-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1035X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (13 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
MOSFET 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V
Date Sheet

Lagernummer 3181

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Вес：32.006612mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：180mA 145mA
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2016
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：8Ohm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Максимальная потеря мощности：250mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：SI1035
Число контактов：6
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250mW
Тип ТРВ：N and P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 200mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：400mV @ 250μA (Min)
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.75nC @ 4.5V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)：180mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：5V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.18A
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.2mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3181

Итого $0.00000