(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы CCS050M12CM2
Изображение служит лишь для справки
CCS050M12CM2
-
Cree/Wolfspeed
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
Date Sheet
Lagernummer 421
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：19 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Количество контактов：28
- Поставщик упаковки устройства：Module
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：87A Tc
- Количество элементов：6
- Время отключения：50 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Серия：Z-FET™ Z-Rec™
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Максимальная потеря мощности：337W
- Каналов количество：6
- Распад мощности：312W
- Время задержки включения：21 ns
- Мощность - Макс：337W
- Тип ТРВ：6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：34mOhm @ 50A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2.810nF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180nC @ 20V
- Время подъема：19ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V 1.2kV
- Время падения (тип)：30 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：87A
- Пороговое напряжение：2.3V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Обратная напряжение：1.2kV
- Напряжение пробоя стока к истоку：1.2kV
- Входной ёмкости：2.81nF
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Сопротивление стока к истоку：25mOhm
- Rds на макс.：34 mΩ
- Высота：17.5mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 421
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
