IRF9362TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF9362TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 3834

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Время отключения：115 ns
Количество элементов：2
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2007
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：21MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：IRF9362PBF
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：5.2 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21m Ω @ 8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1300pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：39nC @ 10V
Время подъема：5.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：53 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-8A
Пороговое напряжение：-1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：8A
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Максимальный импульсный ток вывода：64A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：94 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：-1.8 V
Ширина：3.9878mm
Длина：4.9784mm
Высота：1.4986mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
REACH SVHC：No SVHC
Без свинца：Lead Free

Со склада 3834

Итого $0.00000