(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTGD3133PT1G
Изображение служит лишь для справки
NTGD3133PT1G
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.6A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：560mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：145m Ω @ 2.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：400pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.6A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.145Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
