(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы TT8K11TCR
Изображение служит лишь для справки
TT8K11TCR
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
Date Sheet
Lagernummer 7000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：1W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-F8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：1W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：71m Ω @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1A
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：140pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.5nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：3A
- Максимальный сливовой ток (ID)：3A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.109Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 4V Drive
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 7000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
