(0)
Изображение служит лишь для справки
M470T2864DZ3-CE6
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：200
- Время доступа-максимум：0.45 ns
- Температура работы-Макс：95 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：M470T2864DZ3-CE6
- Частота часовного генератора макс. (fCLK)：333 MHz
- Количество слов：134217728 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.8 V
- Код пакета：DIMM
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Samsung Semiconductor
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код эквивалентности пакета：DIMM200,24
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Количество кодовых слов：128000000
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Форма упаковки：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
- Описание пакета：DIMM, DIMM200,24
- Ранг риска：5.65
- Код упаковки компонента：MODULE
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.36
- Подкатегория：DRAMs
- Технология：CMOS
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.6 mm
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：200
- Код JESD-30：R-XDMA-N200
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.9 V
- Блоки питания：1.8 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：1.2 mA
- Организация：128MX64
- Характеристики выдачи：3-STATE
- Ширина памяти：64
- Ток ожидания-макс：0.12 A
- Плотность памяти：8589934592 bit
- Тип ввода/вывода：COMMON
- Тип микросхемы памяти：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
- Обновляющие циклы：8192
- Режим доступа：DUAL BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
