(0)
Изображение служит лишь для справки
ZTX855
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- E-Line-3
- TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：E-Line-3
- Количество контактов：3
- Вес：453.59237mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：150V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~200°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：150V
- Максимальная потеря мощности：1.2W
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：4A
- Частота：90MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：1.2W
- Продуктивность полосы частот：90MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150V
- Максимальный ток сбора：4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1A 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：260mV @ 400mA, 4A
- Частота перехода：90MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：250V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Прямоходящий ток коллектора：4A
- Высота：4.01mm
- Длина：4.77mm
- Ширина：2.41mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 30000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
