(0)
Изображение служит лишь для справки
KSC5603DTU
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-220-3
- KSC5603D Series 800 V 3 A Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-220-3
Date Sheet
Lagernummer 540
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Вес：1.8g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：800V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：20
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：800V
- Максимальная потеря мощности：100W
- Моментальный ток：3A
- Частота：5MHz
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：100W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：5MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：800V
- Максимальный ток сбора：3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 400mA 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 200μA, 1A
- Частота перехода：11MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.6kV
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：12V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 540
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
