(0)
Изображение служит лишь для справки
BD441G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-225AA, TO-126-3
- BD441G Series 80 V 4 mA Through Hole NPN Power Transistor - SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 487
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：2 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：80V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：15
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
- Максимальная потеря мощности：36W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：4A
- Частота：3MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：BD441
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：36W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：3MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
- Максимальный ток сбора：4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 500mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：800mV @ 300mA, 3A
- Частота перехода：3MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 487
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
