(0)
Изображение служит лишь для справки
BD434S
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP 22V 4A TO-126
Date Sheet
Lagernummer 2446
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя：2 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
- Вес：761mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：22V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Опубликовано：2001
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-22V
- Максимальная потеря мощности：36W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Моментальный ток：-4A
- Частота：3MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：BD434
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：36W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：3MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：22V
- Максимальный ток сбора：4A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Частота перехода：3MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-22V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2446
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
