(0)
Изображение служит лишь для справки
2SA2039-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Date Sheet
Lagernummer 20
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：200
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Максимальная потеря мощности：800mW
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：2SA2039
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：400MHz
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 500mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：430mV @ 100mA, 2A
- Максимальная частота：360MHz
- Частота перехода：360MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：360MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Высота：2.3mm
- Длина：6.5mm
- Ширина：5.5mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 20
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
