
Изображение служит лишь для справки






MJ4502G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-204AA, TO-3
- TRANS PNP 100V 30A TO3
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-204AA, TO-3
- Количество контактов:2
- Вес:4.535924g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:25
- Рабочая температура:-65°C~200°C TJ
- Пакетирование:Tray
- Опубликовано:2000
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-100V
- Максимальная потеря мощности:200W
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:30A
- Частота:2MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:2
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:200W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот:2MHz
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):90V
- Максимальный ток сбора:30A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:25 @ 7.5A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:800mV @ 750mA, 7.5A
- Частота перехода:2MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):4V
- Высота:8.51mm
- Длина:39.37mm
- Ширина:26.67mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 42
Итого $0.00000