(0)
Изображение служит лишь для справки
2N6287G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-204AA, TO-3
- TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3
Date Sheet
Lagernummer 559
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя：2 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：2
- Вес：13.607771g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：100V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-65°C~200°C TJ
- Пакетирование：Tray
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
- Максимальная потеря мощности：160W
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：-20A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：2N6287
- Число контактов：2
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：160W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Тип транзистора：PNP - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
- Максимальный ток сбора：20A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 10A 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 200mA, 20A
- Частота перехода：4MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Прямоходящий ток коллектора：20A
- Высота：8.51mm
- Длина：39.37mm
- Ширина：26.67mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 559
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
