(0)
Изображение служит лишь для справки
BC817K25E6327HTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
Lagernummer 13356
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：500mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Частота：170MHz
- Основной номер части：BC817
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：330mW
- Мощность - Макс：500mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：700mV
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：160 @ 100mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода：170MHz
- Максимальное напряжение разрушения：45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Высота：900μm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.3mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 13356
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
