MJD47T4

Name: STMicroelectronics MJD47T4
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.6 (18 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TRANS NPN 250V 1A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 5614

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：250V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：30
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：250V
Максимальная потеря мощности：15W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Частота：10MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：MJD47
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：15W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：10MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 300mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Код JEDEC-95：TO-252AA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 200mA, 1A
Частота перехода：10MHz
Максимальное напряжение разрушения：250V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：350V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальное напряжение на выходе：1 V
Высота：2.4mm
Длина：6.6mm
Ширина：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5614

Итого $0.00000