MMBT5087LT1G

Name: ON Semiconductor MMBT5087LT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 30000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：-50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：250
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：300mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-50mA
Частота：40MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMBT5087
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：300mW
Продуктивность полосы частот：40MHz
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：250 @ 100μA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода：40MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3V
Высота：1.016mm
Длина：3.0226mm
Ширина：1.397mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30000

Итого $0.00000