BCP56-16T1G

Name: ON Semiconductor BCP56-16T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (6 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
TRANS NPN 80V 1A SOT223
Date Sheet

Lagernummer 101151

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：25
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：4
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：1.5W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Частота：130MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BCP56
Число контактов：4
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.5W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：130MHz
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：130MHz
Максимальное напряжение разрушения：80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：1.57mm
Длина：6.5mm
Ширина：3.5mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 101151

Итого $0.00000