(0)
Изображение служит лишь для справки
HN1B01FU-GR,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US Embossed T/R
Date Sheet
Lagernummer 2884
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Поставщик упаковки устройства：US6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：150mA
- Рабочая температура：125°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：125°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：210mW
- Мощность - Макс：200mW 210mW
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：150MHz
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 2884
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
