(0)
Изображение служит лишь для справки
BC847BPDXV6T5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：150
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
- Максимальная потеря мощности：500mW
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Моментальный ток：100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：BC847BPD
- Число контактов：6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN, PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот：100MHz
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
