
Изображение служит лишь для справки






BC848CDXV6T5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT563
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-563, SOT-666
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Количество элементов:2
- Минимальная частота работы в герцах:270
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:32V
- Максимальная потеря мощности:500mW
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Моментальный ток:100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:BC847CD
- Число контактов:6
- Код JESD-30:R-PDSO-F6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Dual
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот:100MHz
- Тип транзистора:2 NPN (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:420 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000