(0)
Изображение служит лишь для справки
HN2C01FEYTE85LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Date Sheet
Lagernummer 3182
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Минимальная частота работы в герцах：120
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Dual
- Мощность - Макс：100mW
- Продуктивность полосы частот：60MHz
- Тип транзистора：2 NPN (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：150mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 2mA 6V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3182
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
