(0)
Изображение служит лишь для справки
NSVT65011MW6T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- ON SEMICONDUCTOR - NSVT65011MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 300 hFE, SOT-363
Date Sheet
Lagernummer 26616
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Диэлектрический пробой напряжение：65V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2015
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：380mW
- Направленность：NPN
- Мощность - Макс：380mW
- Тип транзистора：2 NPN (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Максимальное напряжение разрушения：65V
- Частота - Переход：100MHz
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 26616
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
