ZXTC6719MCTA

Name: Diodes Incorporated ZXTC6719MCTA
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (17 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
8-WDFN Exposed Pad
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Date Sheet

Lagernummer 2728

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-WDFN Exposed Pad
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：4A 3A
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：1.7W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Частота：165MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：ZXTC6719MC
Число контактов：8
Направленность：NPN, PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：2.45W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Продуктивность полосы частот：165MHz
Тип транзистора：NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：320mV
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 2A 2V / 60 @ 1.5A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V 40V
Частота перехода：165MHz
Максимальное напряжение разрушения：40V
Частота - Переход：165MHz 190MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7V
Прямоходящий ток коллектора：4A
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2728

Итого $0.00000