MMDT2907V-7

Name: Diodes Incorporated MMDT2907V-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.8 (16 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
SOT-563, SOT-666
TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
Date Sheet

Lagernummer 99000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：19 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Вес：3.005049mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：75
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-600mA
Частота：200MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MMDT2907V
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：150mW
Продуктивность полосы частот：200MHz
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Время выключения максимальное (toff)：100ns
Время включения максимальный (тон)：45ns
Высота：600μm
Длина：1.6mm
Ширина：1.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 99000

Итого $0.00000