(0)
Изображение служит лишь для справки
NST857BDP6T5G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-963
- TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
Date Sheet
Lagernummer 7036
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-963
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：45V
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：420mW
- Форма вывода：FLAT
- Частота：100MHz
- Число контактов：6
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：420mW
- Мощность - Макс：350mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Продуктивность полосы частот：100MHz
- Тип транзистора：2 PNP (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：220 @ 2mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：15nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 5mA, 100mA
- Частота перехода：100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
- Высота：400μm
- Длина：1.05mm
- Ширина：850μm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 7036
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
