(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTA114EMB，315
Изображение служит лишь для справки
PDTA114EMB，315
-
NXP
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-101, SOT-883
- NOW NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIG
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
- Поставщик упаковки устройства：DFN1006B-3
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Mfr：NXP Semiconductors
- Состояние продукта：Active
- Основной номер продукта：PDTA114
- Серия：-
- Мощность - Макс：250 mW
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1µA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500µA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：180 MHz
- База (R1)：10 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 kOhms
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
