Изображение служит лишь для справки






TS5205CX525
-
Taiwan Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 150MA 2.5V Ultra Low Dropout Voltage Regulator With Enable
Date Sheet
Lagernummer 17
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС:Non-Compliant
- Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- Минимальная частота работы в герцах:100
- Обратная напряженность отстоя:24 V
- Пороговая напряжённость / В:51 V
- Производитель:TAIWAN SEMICONDUCTOR
- Пакетирование:SOT-25
- Капацитивность:Quiescent Current Iq Typ. - 1300uA
- Выводной напряжение:2.5 V
- Каналов количество:2
- Напряжение:Output Voltage - 2.5V
- Максимальная напряжённость питания:20 V
- Минимальная подача напряжения:3 V
- Номинальный ток питания:25 nA
- Распад мощности:150 mW
- Ток выпуска:150 mA
- Постоянный ток покоя:1.3 mA
- Время ответа:1.3 µs
- Максимальный обратный ток утечки:1 µA
- Уровень задержки:70.1 V
- Пиковый импульсный ток:21.4 A
- Максимальная импульсная мощность:1.5 kW
- Ток испытания:2.5 mA
- Ссылочное напряжение:1.25 V
- Продуктивность полосы частот:1 MHz
- Напряжение стока-исток (Vdss):-60 V
- Напряжение включения:1 V
- Падение напряжения:170 mV
- Напряжение Зенера:75 V
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):50 V
- Время обратной рекомпенсации:50 ns
- Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм):250 V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):-1.5 V
- Входной ёмкости:436 pF
- Максимальное напряжение разрушения:9.8 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-40 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):40 V
- Максимальный передний импульсный ток (Ifsm):2.5 A
- Максимальная температура перехода (Тj):150 °C
- Прямоходящий ток коллектора:-200 mA
- Минимальная разрушающая напряжение:25.4 V
Со склада 17
Итого $0.00000