(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BLF4G10-160,112
Изображение служит лишь для справки
BLF4G10-160,112
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- SOT-502A
- TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-502A
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：200°C
- Номинальное напряжение：65V
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2007
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：15A
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Частота：894MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Ток - испытание：900mA
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：LDMOS
- Увеличение：19.7dB
- Максимальный сливовой ток (ID)：15A
- Минимальная напряжённость разрушения：65V
- Выводная мощность：160W
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание：28V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
