(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BLF4G22S-100,112
Изображение служит лишь для справки
BLF4G22S-100,112
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- SOT-502B
- BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-502B
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Рабочая температура (макс.)：200°C
- Номинальное напряжение：65V
- Пакетирование：Tray
- Опубликовано：2001
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：12A
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Частота：2.11GHz~2.17GHz
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-CDFP-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Ток - испытание：900mA
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：LDMOS
- Увеличение：13.5dB
- Максимальный сливовой ток (ID)：12A
- Минимальная напряжённость разрушения：65V
- Выводная мощность：25W
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание：28V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
