(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ MRF8P20140WHR3
Изображение служит лишь для справки
MRF8P20140WHR3
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- NI780-4
- RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 24W NI780-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Корпус / Кейс：NI780-4
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：125°C
- Номинальное напряжение：65V
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2006
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Количество выводов：4
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Частота：1.88GHz~1.91GHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：MRF8P20140
- Код JESD-30：R-CDFM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Ток - испытание：500mA
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：LDMOS (Dual)
- Увеличение：16dB
- Минимальная напряжённость разрушения：65V
- Выводная мощность：24W
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание：28V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
