(0)
Изображение служит лишь для справки
BFR843EL3E6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- 3-XFDFN
- The BFR843EL3 is a robust low noise broadband pre-matched bipolar RF transistor.
Date Sheet
Lagernummer 13316
- 1+： $0.14082
- 10+： $0.13285
- 100+： $0.12533
- 500+： $0.11824
- 1000+： $0.11154
Zwischensummenbetrag $0.14082
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-XFDFN
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：2.6V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Gold (Au)
- Максимальная потеря мощности：125mW
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：EMITTER
- Мощность - Макс：125mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Halogen Free
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.25V
- Максимальный ток сбора：55mA
- Увеличение：25.5dB
- Максимальное напряжение разрушения：2.6V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：2.9V
- Частотная полоса наивысшего режима：X B
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 13316
- 1+： $0.14082
- 10+： $0.13285
- 100+： $0.12533
- 500+： $0.11824
- 1000+： $0.11154
Итого $0.14082
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
