(0)
Изображение служит лишь для справки
MMBTH10-TP
-
Micro Commercial Co
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Date Sheet
Lagernummer 3430
- 1+： $0.08156
- 10+： $0.07695
- 100+： $0.07259
- 500+： $0.06848
- 1000+： $0.06461
Zwischensummenbetrag $0.08156
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：50mA
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Основной номер части：MMBTH10
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Мощность - Макс：225mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 4mA 10V
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：25V
- Частота перехода：650MHz
- Частота - Переход：650MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.225W
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Сопротивление базы-эмиттора макс：0.7pF
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3430
- 1+： $0.08156
- 10+： $0.07695
- 100+： $0.07259
- 500+： $0.06848
- 1000+： $0.06461
Итого $0.08156
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
