(0)
Изображение служит лишь для справки
MT3S20TU(TE85L)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- 3-SMD, Flat Lead
- RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
Date Sheet
Lagernummer 10713
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Диэлектрический пробой напряжение：12V
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：900mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация элемента：Single
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12V
- Максимальный ток сбора：80mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 50mA 5V
- Увеличение：12dB
- Частота перехода：5000MHz
- Максимальное напряжение разрушения：12V
- Частота - Переход：7GHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：1.5V
- Прямоходящий ток коллектора：80mA
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：1.45dB @ 20mA, 5V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 10713
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
