Изображение служит лишь для справки






GSID100A120T2C1A
-
Global Power
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- SILICON IGBT MODULES
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:Module
- Максимальный коллекторный ток (Ic):200A
- Рабочая температура:-40°C ~ 150°C
- Серия:Amp+™
- Состояние изделия:Active
- Конфигурация:Three Phase Inverter
- Мощность - Макс:800W
- Ввод:Three Phase Bridge Rectifier
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 100A
- Тип ИGBT:--
- Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:13.7nF @ 25V
Со склада 0
Итого $0.00000