(0)
Изображение служит лишь для справки
FZ800R12KS4B2NOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MOD 1200V 1200A 7600W
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Корпус / Кейс：Module
- Вид крепления：Chassis Mount
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1200A
- Опубликовано：2002
- Рабочая температура：-40°C~125°C
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：7
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Конфигурация：Single
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：7600W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：225 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.7V @ 15V, 800A
- Время выключения (toff)：660 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：52nF @ 25V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
