FGH30N60LSDTU

Name: ON Semiconductor FGH30N60LSDTU
Brand: ON Semiconductor
Price: 7.123733 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (20 reviews)

Lagernummer 32363

1+： $7.12373
10+： $6.72050
100+： $6.34010
500+： $5.98122
1000+： $5.64266

Zwischensummenbetrag $7.12373

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 30A, 6.8 Ω, 15V
Время отключения：250 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：480W
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：18 ns
Мощность - Макс：480W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：60A
Время обратной рекомпенсации：35 ns
Код JEDEC-95：TO-247AB
Время включения：62 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.4V @ 15V, 30A
Время выключения (toff)：2870 ns
Зарядная мощность：225nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：90A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：18ns/250ns
Переключаемый энергопотребление：1.1mJ (on), 21mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
Время падения максимальное (tf)：2000ns
Высота：20.82mm
Длина：15.87mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 32363

1+： $7.12373
10+： $6.72050
100+： $6.34010
500+： $5.98122
1000+： $5.64266

Итого $7.12373