(0)
Изображение служит лишь для справки
STGYA120M65DF2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3 Exposed Pad
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Date Sheet
Lagernummer 480017
- 1+： $8.23517
- 10+： $7.76903
- 100+： $7.32927
- 500+： $6.91441
- 1000+： $6.52302
Zwischensummenbetrag $8.23517
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3 Exposed Pad
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：160A
- Условия испытания：400V, 120A, 4.7 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：M
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Основной номер части：STGYA120
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：625W
- Время обратной рекомпенсации：202ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.95V @ 15V, 120A
- Тип ИGBT：NPT, Trench Field Stop
- Зарядная мощность：420nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：360A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：66ns/185ns
- Переключаемый энергопотребление：1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 480017
- 1+： $8.23517
- 10+： $7.76903
- 100+： $7.32927
- 500+： $6.91441
- 1000+： $6.52302
Итого $8.23517
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
