FGH40T65UPD

Name: ON Semiconductor FGH40T65UPD
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (19 reviews)

Lagernummer 1890

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：50 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：650V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 40A, 7 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：268W
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：268W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：650V
Максимальный ток сбора：80A
Время обратной рекомпенсации：43 ns
Код JEDEC-95：TO-247AB
Время включения：57 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 40A
Время выключения (toff)：213 ns
Тип ИGBT：Trench Field Stop
Зарядная мощность：177nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：20ns/144ns
Переключаемый энергопотребление：1.59mJ (on), 580μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7.5V
Время падения максимальное (tf)：22ns
Высота：20.82mm
Длина：15.87mm
Ширина：4.82mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1890

Итого $0.00000