
Изображение служит лишь для справки






STGD10NC60HDT4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- IGBT 600V 20A 62W D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 700
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Количество элементов:1
- Условия испытания:390V, 5A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerMESH™
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Максимальная потеря мощности:62W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STGD10
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:62W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600V
- Максимальный ток сбора:20A
- Время обратной рекомпенсации:22 ns
- Код JEDEC-95:TO-252AA
- Максимальное напряжение разрушения:600V
- Время включения:19 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.5V @ 15V, 5A
- Время выключения (toff):247 ns
- Зарядная мощность:19.2nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):30A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:14.2ns/72ns
- Переключаемый энергопотребление:31.8μJ (on), 95μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5.75V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 700
Итого $0.00000