(0)
Изображение служит лишь для справки
STGW25H120F2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
Date Sheet
Lagernummer 12
- 1+： $3.36111
- 10+： $3.17086
- 100+： $2.99138
- 500+： $2.82206
- 1000+： $2.66232
Zwischensummenbetrag $3.36111
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：32 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вес：38.000013g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Условия испытания：600V, 25A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：375W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGW25
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：375W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.6V
- Максимальный ток сбора：50A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：41 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.6V @ 15V, 25A
- Время выключения (toff)：339 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：100nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：100A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：29ns/130ns
- Переключаемый энергопотребление：600μJ (on), 700μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 12
- 1+： $3.36111
- 10+： $3.17086
- 100+： $2.99138
- 500+： $2.82206
- 1000+： $2.66232
Итого $3.36111
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
