
Изображение служит лишь для справки






HGTG30N60B3D
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 600V 60A 208W TO247
Date Sheet
Lagernummer 3200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Количество контактов:3
- Вес:6.39g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:600V
- Количество элементов:1
- Условия испытания:480V, 30A, 3 Ω, 15V
- Время отключения:137 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOW CONDUCTION LOSS
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный:600V
- Максимальная потеря мощности:208W
- Моментальный ток:60A
- Основной номер части:HGTG30N60
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:208W
- Входной тип:Standard
- Время задержки включения:36 ns
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Время подъема:25ns
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):600V
- Максимальный ток сбора:60A
- Время обратной рекомпенсации:55 ns
- Время включения:56 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 30A
- Время выключения (toff):365 ns
- Зарядная мощность:170nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):220A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:36ns/137ns
- Переключаемый энергопотребление:550μJ (on), 680μJ (off)
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 3200
Итого $0.00000