STGB20NB41LZT4

Name: STMicroelectronics STGB20NB41LZT4
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.9 (7 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT 442V 40A 200W D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 20193

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：442V
Количество элементов：1
Условия испытания：320V, 20A, 1k Ω, 5V
Время отключения：12.1 μs
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerMESH™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Максимальная потеря мощности：200W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Моментальный ток：20A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STGB20
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：200W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：1 μs
Применение транзистора：AUTOMOTIVE IGNITION
Время подъема：220ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：382V
Максимальный ток сбора：40A
Максимальное напряжение разрушения：442V
Время включения：1220 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 4.5V, 20A
Время выключения (toff)：16100 ns
Зарядная мощность：46nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：80A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：1μs/12.1μs
Переключаемый энергопотребление：5mJ (on), 12.9mJ (off)
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：2.4V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20193

Итого $0.00000