STGD18N40LZT4

Name: STMicroelectronics STGD18N40LZT4
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.8 (12 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IGBT 420V 25A 125W DPAK
Date Sheet

Lagernummer 44650

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：350.003213mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：420V
Количество элементов：1
Условия испытания：300V, 10A, 5V
Время отключения：13.5 s
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：VOLTAGE CLAMPING
Максимальная потеря мощности：125W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STGD18
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Logic
Время задержки включения：650 ms
Мощность - Макс：125W
Применение транзистора：AUTOMOTIVE IGNITION
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：360V
Максимальный ток сбора：25A
Максимальное напряжение разрушения：420V
Время включения：4450 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.7V @ 4.5V, 10A
Время выключения (toff)：22200 ns
Зарядная мощность：29nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：40A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：650ns/13.5μs
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：16V
Высота：2.4mm
Длина：6.6mm
Ширина：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 44650

Итого $0.00000