FGD3N60UNDF

Name: ON Semiconductor FGD3N60UNDF
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (16 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
Date Sheet

Lagernummer 410

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 3A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：60W
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：FGD3N60
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：60W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：6A
Время обратной рекомпенсации：21ns
Максимальное напряжение разрушения：600V
Время включения：7.4 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.52V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)：146 ns
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：1.6nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：9A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：5.5ns/22ns
Переключаемый энергопотребление：52μJ (on), 30μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8.5V
Высота：2.3mm
Длина：6.6mm
Ширина：6.1mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 410

Итого $0.00000