STGB12NB60KDT4

Name: STMicroelectronics STGB12NB60KDT4
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.7 (16 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 147

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：480V, 12A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerMESH™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：125W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：18A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STGB12
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：125W
Входной тип：Standard
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Время подъема：14.5ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：30A
Время обратной рекомпенсации：80 ns
Максимальное напряжение разрушения：600V
Время включения：39.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.8V @ 15V, 12A
Время выключения (toff)：461 ns
Зарядная мощность：54nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：25ns/96ns
Переключаемый энергопотребление：258μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 147

Итого $0.00000