IXST30N60B2D1

Name: IXYS IXST30N60B2D1
Brand: IXYS
Rating: 4.9 (10 reviews)

IXYS
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Количество контактов：3
Вес：4.500005g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 24A, 5 Ω, 15V
Время отключения：130 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：250W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：48A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：IXS*30N60
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：250W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：30 ns
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：30ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：48A
Время обратной рекомпенсации：30 ns
Время включения：80 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 24A
Время выключения (toff)：436 ns
Тип ИGBT：PT
Зарядная мощность：50nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：90A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：30ns/130ns
Переключаемый энергопотребление：550μJ (off)
Высота：5.1mm
Длина：16.05mm
Ширина：14mm
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000