(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные UMD9NHE3-TP
Изображение служит лишь для справки
UMD9NHE3-TP
-
Micro Commercial Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-363-6
- Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN & PNP 50Vcc -6Vin 40V
Date Sheet
Lagernummer 13
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-363-6
- Характеристика Коэффициент резистора：4.7
- Распад мощности：200 mW
- Полярность транзистора：NPN, PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：68 at 5 mA, 5 V
- Типовой входной резистор：10 kOhms
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора：100 mA
- Конфигурация：Dual
- Прямоходящий ток коллектора：70 mA
Со склада 13
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
