Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные UMD9NHE3-TP
Изображение служит лишь для справки






UMD9NHE3-TP
-
Micro Commercial Components
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-363-6
- Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN & PNP 50Vcc -6Vin 40V
Date Sheet
Lagernummer 13
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOT-363-6
- Характеристика Коэффициент резистора:4.7
- Распад мощности:200 mW
- Полярность транзистора:NPN, PNP
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:68 at 5 mA, 5 V
- Типовой входной резистор:10 kOhms
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора:100 mA
- Конфигурация:Dual
- Прямоходящий ток коллектора:70 mA
Со склада 13
Итого $0.00000