Изображение служит лишь для справки






BC847BS_R1_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-363-6
- Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VCE45V IC100mA
Date Sheet
Lagernummer 11460
- 1+: $0.14657
- 10+: $0.13827
- 100+: $0.13044
- 500+: $0.12306
- 1000+: $0.11609
Zwischensummenbetrag $0.14657
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOT-363-6
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:SOT-363
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:300 mW
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:200
- Вес единицы:0.000280 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
- Производитель:Panjit
- Бренд:Panjit
- Максимальный постоянный ток сбора:100 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:450
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:45 V
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Mfr:Panjit International Inc.
- Состояние продукта:Active
- Серия:DT-02TSN
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Dual
- Мощность - Макс:300mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:2 NPN (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 2mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):15nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):45V
- Частота - Переход:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50 V
- Прямоходящий ток коллектора:100 mA
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 11460
- 1+: $0.14657
- 10+: $0.13827
- 100+: $0.13044
- 500+: $0.12306
- 1000+: $0.11609
Итого $0.14657